19938108760
產(chǎn)品簡介
SIMCO思美高超凈環(huán)境MP離子發(fā)生器，具有廣泛可調(diào)性的調(diào)制脈沖技術(shù) & ISO 14644-12 離子化，出色的橫向均勻性
產(chǎn)品分類
SIMCO思美高超凈環(huán)境MP離子發(fā)生器
Simco-Ion, Technology Group的 Model 5635M AeroBar MP離子化棒專為消除半導體和其他超凈制造過程中的靜電荷而設計，在這些過程中需要快速的放電時間、低擺動電壓和精確的平衡，但不允許暴露的金屬表面。AeroBar使用MP技術(shù)，將高頻正弦波與調(diào)制脈沖（MP）結(jié)合起來，以實現(xiàn)高離子輸出和傳輸。這項突破性技術(shù)使AeroBar能夠在離晶圓150毫米以內(nèi)安裝。MP技術(shù)結(jié)合了超凈硅發(fā)射點和精確調(diào)整，提供了ISO 14644-12離子化（0.01 µm顆粒或納米顆粒）和ISO 14644 Class 1（0.1 µm顆粒）的清潔度，對于更小的技術(shù)節(jié)點至關重要。
ISO 14644-12 (0.01 µm粒子) 離子化和
ISO 14644 1級 (0.1 µm粒子) 清潔度
調(diào)制脈沖技術(shù)
無金屬設計 “M"
出色的橫向均勻性
低場電壓
氣輔助能力
可選軟件，具有易于使用的界面和廣泛的可調(diào)性
報警輸出信號
SIMCO思美高超凈環(huán)境MP離子發(fā)生器
| 輸入電壓 | 輸入：24 VDC ±10% 電源輸入 RJ-45；0.7A（最大） 輸出：13.5 kV 峰峰值（最大），可調(diào) |
|---|---|
| 排放 | 在無空氣輔助的情況下，15秒內(nèi)±1000-100V（典型值），在發(fā)射器中心點下方24英寸處，Vp-p擺幅為80 |
| 余額 | <在受控環(huán)境中于18英寸距離測量為±35V |
| 離子發(fā)射 | 調(diào)制脈沖 (MP) 技術(shù) |
| 發(fā)射器 | ISO 14644-1 1類單晶硅 |
| 潔凈室等級 | ISO 14644-1 (0.1 微米顆粒) 和擴展 ISO 1 級清潔度 (10 納米顆粒或納米顆粒)，使用 45-50% 輸出電壓設置和帶有單晶硅發(fā)射器的 OpenJet 噴嘴 |
| 維度 | 3.1"H x 1.3"W x 13.8 / 17.7 / 23.6 / 33.5 / 39.3 / 45.3 / 51.2 / 57.1 / 63.0 / 69.0 / 74.8 / 80.7 / 86.6 / 92.5"L (7.8 x 3.4 x 35 / 45 / 60 / 85 / 100 / 115 / 130 / 145 / 160 / 175 / 190 / 205 / 220 / 235 cm) |
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